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想要去跟TFT Array工藝大神交流,一定要先看這篇文章

編輯:liuchang 2018-05-07 08:53 瀏覽 評論 評論 0 贊    來源:  中華顯示網

  1、G工程

  成膜工程——G層Sputter (AL-Nb, Mo-Nd)

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PR曝光工程——G-Mask PR曝光

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刻蝕工程——G層濕刻

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剝離

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2、D/I工程

  成膜工程——PCVD (SiNx)

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成膜工程——PCVD (3層CVD)

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成膜工程——D層 Sputter (Cr)

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PR曝光工程——D-Mask PR曝光

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刻蝕工程——D層濕刻1

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Island干刻

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D層濕刻2

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Channel干刻

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剝離工程——剝離

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3、C工程

  成膜工程——PECVD (SiNx)

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PR曝光工程——C-Mask PR曝光

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刻蝕工程——Contact Hole干刻

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剝離

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4、PI工程

  成膜工程——Sputter (ITO)

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PR曝光工程——PI-Mask PR曝光

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刻蝕工程——ITO濕刻

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剝離

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5、ARRAY工藝介紹

  洗凈:清潔基板表面,防止成膜不良

  濺射(SPUTTER):成Gate膜、D/S膜和Pixel膜

  PECVD:成a-Si膜和SiNx膜

  PR/曝光:形成與MASK圖案相一致的光刻膠圖案

  濕刻(WE):刻蝕掉未被光刻膠掩蔽的金屬膜

  干刻(DE):刻蝕掉未被光刻膠掩蔽的非金屬膜

  剝離:去掉殘余的光刻膠

  退火:修復晶體損傷,改善晶體性質

  檢查修復:監控產品不良,修復不良

  5.1 洗凈

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5.2 洗凈方法及原理概述

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